IPI076N12N3GAKSA1（Infineon）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：IPI076N12N3GAKSA1制造商：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：OptiMOS?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：120V25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.6 毫欧 @ 100A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 130μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：101nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6640pF @ 60VFET功能：-功率耗散（最大值）：188W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：PG-TO262-3买IC网自营直供，IPI076N12N3GAKSA1均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
IPI076N12N3GAKSA1（制造商：Infineon），技术规格MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
