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图片信息

基本资料：

零件型号：IXSH10N60B2D1

制造厂商：IXYS

技术规格：IGBT 600V 20A 100W TO247

功能类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处下载IXSH10N60B2D1的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

制造商产品型号：IXSH10N60B2D1

制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收购）

描述：IGBT 600V 20A 100W TO247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：PT

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：20A

电流-集电极脉冲(Icm)：30A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A

功率-最大值：100W

开关能量：430μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：17nC

25°C时Td（开/关）值：30ns/180ns

测试条件：480V，10A，30 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：25ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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IXSH10N60B2D1（制造商：IXYS），技术规格IGBT 600V 20A 100W TO247 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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