IRFH5110TRPBF（IR）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：IRFH5110TRPBF制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购描述：MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN系列：HEXFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Ta），63A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.4 毫欧 @ 37A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：72nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3152pF @ 25V功率 - 最大值：3.6W安装类型：表面贴装产品封装：8-PowerVQFN供应商器件封装：PQFN（5x6）买IC网自营直供，IRFH5110TRPBF均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
IRFH5110TRPBF（制造商：IR），技术规格MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN 单端场效应管
