RF1S45N06SM
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Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
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RF1S45N06SM
制造:
Harris公司 (Harris Corporation, 哈里斯)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
N-CHANNEL POWER MOSFET
封装:TO-263AB
RF1S45N06SM技术资料下载
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RF1S45N06SM 基本参数:
型号:RF1S45N06SM
品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
封装:TO-263AB
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263AB
封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
RF1S45N06SM
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CD74HCT125E
RURP1620CC
HIN206CA
RF1K49223
CD4017BD/3
HA1-2400B3747
HIN238ACA
CD4048BE
CD74ACT74M
CDP1857CD3
HSP43220GM-15/883
2N5634
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