IRF630
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Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
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IRF630
IRF630
制造:
Harris公司 (Harris Corporation, 哈里斯)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
封装:TO-220AB
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IRF630 基本参数:
型号:IRF630
品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
封装:TO-220AB
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 5.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):43 nC @ 10 V
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220AB
封装/外壳:TO-220-3
IRF630
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CDP1858D
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