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Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
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IRF532
IRF532
制造:
Harris公司 (Harris Corporation, 哈里斯)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
N-CHANNEL POWER MOSFET
封装:TO-220AB
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IRF532 基本参数:
型号:IRF532
品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
封装:TO-220AB
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):230 毫欧 @ 8.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):26 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):600 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):79W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220AB
封装/外壳:TO-220-3
IRF532
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