HGTD3N60B3S
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Harris (Harris Corporation, 哈里斯)
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HGTD3N60B3S
制造：
Harris公司 (Harris Corporation, 哈里斯)
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
规格：
IGBT 600V 7A TO-252
封装:TO-252（DPAK）
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HGTD3N60B3S 基本参数：
型号:HGTD3N60B3S
品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
封装:TO-252（DPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT 600V 7A TO-252
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:7 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3.5A
功率 - 最大值:33.3 W
开关能量:66J（导通），88J（关断）
输入类型:标准
栅极电荷:21 nC
25°C 时 Td（开/关）值:18ns/105ns
测试条件:480V，3.5A，82 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):16 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
供应商器件封装:TO-252（DPAK）
HGTD3N60B3S
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