HGT1S3N60C3D
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HGT1S3N60C3D
制造：
Harris公司 (Harris Corporation, 哈里斯)
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
规格：
IGBT 600V 6A I2PAK
封装:I2PAK（TO-262）
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HGT1S3N60C3D 基本参数：
型号:HGT1S3N60C3D
品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
封装:I2PAK（TO-262）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT 600V 6A I2PAK
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，3A
功率 - 最大值:33 W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:13.8 nC
25°C 时 Td（开/关）值:-
测试条件:-
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
供应商器件封装:I2PAK（TO-262）
HGT1S3N60C3D
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CD82C237-12
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CD4017BD/3
CD4048BE
RFG40N10LE
RURP1620CC
HA4-5111/883
CD74FCT646ATQM
RF1K49223
HIN238ACA
HIN206CA
HSP43220GM-15/883
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