G8N03LL
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G8N03LL
G8N03LL
制造:
Goford公司 (Goford Semiconductor, 高福特)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
封装:SOT-23-6L
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G8N03LL 基本参数:
型号:G8N03LL
品牌:Goford Semiconductor (Goford)
封装:SOT-23-6L
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
包装:剪切带(CT)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):13 nC @ 5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):900 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-23-6L
封装/外壳:SOT-23-6
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