1N8030-GA
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1N8030-GA
制造:
GeneSiC公司(GeneSiC Semiconductor,Navitas)
类别:
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
规格:
DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
封装:TO-257
1N8030-GA技术资料下载
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1N8030-GA 基本参数:
型号:1N8030-GA
品牌:GeneSiC (Navitas Semiconductor,纳微半导体)
封装:TO-257
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
描述:DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
电流 - 平均整流 (Io):750mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.39 V @ 750 mA
速度:零恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr):0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 650 V
不同Vr、F 时电容:76pF @ 1V,1MHz
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-257-3
供应商器件封装:TO-257
工作温度 - 结:-55°C ~ 250°C
1N8030-GA
现货供应,确保您在缺货时期也能找到稳定货源。
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FR30KR05
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GD2X50MPS12N
MBR40060CTR
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MSRTA30080D
MBRF120200R
FST6360M
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KBJ401G
NV9574S121
GA50JT06-258
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