EPC2100ENGRT（EPC）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：EPC2100ENGRT制造商：EPC描述：GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：eGaN?零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），40A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.9nC @ 15V，19nC @ 15V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：475pF @ 15V，1960pF @ 15V功率-最大值：-工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：模具买IC网自营直供，EPC2100ENGRT均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
EPC2100ENGRT（制造商：EPC），技术规格GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
