DI8A6C03SQ
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DI8A6C03SQ
DI8A6C03SQ
制造:
Diotec公司 (Diotec Semiconductor, 迪奥特)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
规格:
DI8A6C03SQ
封装:8-SO
DI8A6C03SQ技术资料下载
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DI8A6C03SQ 基本参数:
型号:DI8A6C03SQ
品牌:Diotec Semiconductor (Diotec)
封装:8-SO
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:DI8A6C03SQ
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:N 和 P 沟道互补型
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A(Ta),7.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 8.6A,10V,20.5 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17nC @ 10V,33nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):905pF @ 15V,1675pF @ 15V
功率 - 最大值:1.6W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
DI8A6C03SQ
现货供应,确保您在缺货时期也能找到稳定货源。
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