DMTH6009LPSQ-13(Diodes)|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情:
制造商产品型号:DMTH6009LPSQ-13制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):11.76A(Ta),89.5A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):33.5nC @ 10VVgs(最大值):±16V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1925pF @ 30VFET功能:-功率耗散(最大值):2.8W(Ta),136W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PowerDI5060-8买IC网自营直供,DMTH6009LPSQ-13均从电子元器件代理商采购,确保原装正品!
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DMTH6009LPSQ-13(制造商:Diodes),技术规格MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 晶体管 - FET,MOSFET - 单个