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MSQ30N10D
制造:
Bruckewell公司
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
规格:
N Channel MOSFET,Dual,30V,SOP-8
封装:8-SOP
MSQ30N10D技术资料下载
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MSQ30N10D 基本参数:
型号:MSQ30N10D
品牌:Bruckewell公司
封装:8-SOP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:N Channel MOSFET,Dual,30V,SOP-8
系列:*
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
功率 - 最大值:-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP
MSQ30N10D
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