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ANBON公司 (ANBON SEMICONDUCTOR)
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AS1M080120P的图片
ANBON (ANBON SEMICONDUCTOR)品牌LOGO
类别:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
封装:TO-247-3
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AS1M080120P 基本参数:
  • 型号:AS1M080120P
  • 品牌:ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED (ANBON)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
  • 系列:-
  • 包装:
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss):1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):98 毫欧 @ 20A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):79 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值):+25V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1475 pF @ 1000 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):192W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • 封装/外壳:TO-247-3
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