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ALD1101BSAL
制造:
ALD公司(Advanced Linear Devices)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
规格:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.04A 8SOIC
封装:8-SOIC
ALD1101BSAL技术资料下载
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ALD1101BSAL 基本参数:
型号:ALD1101BSAL
品牌:Advanced Linear Devices Inc. (ALD)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.04A 8SOIC
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N 沟道(双)配对
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
功率 - 最大值:500mW
工作温度:0°C ~ 70°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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