基本半导体副总经理张振中博士受邀在L3 Narda-MITEQ功率器件应用分会场作技术分享，重点介绍了基本半导体自主研发的高性能碳化硅MOSFET产品。目前公司主推的1200V 碳化硅MOSFET具有短路安全工作区大、雪崩耐量高、反向击穿电压高和导通电阻低的特点。该产品完成了150度下2000小时的HTRB和HTGB可靠性试验，并通过多家客户的严苛测试认证，进入批量供应阶段。器件反向击穿电压达到1520V，在栅极电压20V、直流电压800V的短路条件下，可安全承受6微秒的短路时间;在栅极电压16V以上，器件可安全地进行并联工作。 基本半导体将凭借雄厚的研发实力和创新能力，继续加快产品创新步伐。张振中博士表示，碳化硅MOSFET产品开发将从分立器件逐步拓展到Compact系列封装和汽车级封装，覆盖新能源汽车电机控制器、车载电源、大功率充电模块、光伏逆变器等多个领域。

　　大会期间，基本半导体展台人流如织，众多行业人士前来咨询碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品性能及应用情况，多家客户达成合作意向。基本半导体技术团队与国内外专家、学者和科研技术人员深入探讨电力电子发展新思想、新技术的同时，会老友、结新朋，共同助力电力电子产业生态的协同发展。