
Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET 第四代 N沟道功率MOSFET

SiR626DP改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流,隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率,适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和IRISO工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。
MOSFET经过100% RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周,视市场情况而定。
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