
Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,提高逆变器级工作效率

器件高隔离电压分别为VIORM = 891 V,VIOTM = 6Tri-Mag000 V,可用于电机驱动器、太阳能逆变器、开关电源 (SMPS)、感应炉面、不间断电源 (UPS) 电流隔离。此外,其欠压锁定 (UVLO) 功能避免IGBT / MOSFET发生故障,最低35 kV/μs共模瞬变抑制能力有助于消除PCB高压到低压区域噪声问题。
光耦最大传播延迟为0.5 s,极为适于要求快速开关的应用。器件符合RoHS标准,可在15 V至30 V电源电压和-40 °C至+105 °C工业温度下工作。
VOD3120现可提供样品并已实现量产,供货周期为六周。
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