
TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器,可显著节约能耗,并为高压系统构筑坚强屏障

前往应用电力电子会议(APEC)的TI展台参观
敬请于2019年3月17日至21日期间,莅临在加利福尼亚州阿纳海姆市举办的应用电力电子会议(APEC)上的511号TI展台,探索这些电源管理设备,了解TI为工程师提供的其它创新Adesto、设计和学习方法。
更多了解有关TI UCC21710-Q1、UCC21732-Q1、UCC21750和UCC23513栅极驱动器的信息
阅读白皮书“隔离式栅极驱动器的影响”及“碳化硅栅极驱动器 电力电子领域的颠覆性技术。”
下载应用指南“了解用于碳化硅MOSFET的短路保护。”
参考博文“替换落伍的光耦合器栅极驱动器。”
观看由四个视频组成的培训材料“高压隔离技术的工作原理。”
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