基本半导体是国内碳化硅功率器件领军企业，目前公司自主研发的高性能1200V/10A碳化硅平面MOSFET已经完成产品化，在本届中国电子展进行了重点展示。该产品具有较低的RDS(ON)，开关性能优良，可提高器件工作效率，减少芯片面积。它们能在更高的开关频率下，通过更低的热损耗实现高效率，栅氧沟道电子迁移率16cm2/Vs，击穿场强接近8.8MV/cm。1200V/10A MOSFETInsignis TDDB测试，门极偏压30-36V数据推算20V应用条件下栅氧寿命在200年以上。因其优异性能，基本半导体碳化硅MOSFET可在电动汽车、轨道交通、光伏发电、国防军工等领域广泛使用。 基本半导体展台迎来了众多关注第三代半导体产业的行业观众，大家在了解碳化硅功率器件的优势和应用领域的同时，与展台技术专家进一步探讨行业发展方向和未来趋势。中国半导体市场加速扩展，打造国际一流民族品牌是中国企业义不容辞的责任。基本半导体在推进核心技术自主可控的过程中，将不断提升技术创新能力，积极推动终端应用的开发落地，以更好地促进国产替代的良性循环，满足国内市场的巨大需求。