CGD（Cambridge GaN Devices）是一家源自英国剑桥大学工程系的半导体创新企业，总部位于剑桥，专注于氮化镓（GaN）功率器件的设计、开发与商业化。公司由剑桥大学功率器件研究团队创立，核心产品线包括基于其专有ICeGaN技术的650V及以下GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和集成栅极驱动器的智能功率芯片，面向电源适配器、数据中心、电动汽车、光伏逆变器及消费电子快充等高效能电力转换场景。CGD在产业链中扮演无晶圆厂（Fabless）功率半导体设计公司角色，与代工厂合作实现晶圆制造，并通过封装测试合作伙伴完成器件交付。其技术定位聚焦于将GaN的高频高效特性与CMOS兼容的驱动集成相结合，降低系统复杂度并提升功率密度。作为宽禁带半导体领域的新锐力量，CGD致力于推动GaN功率器件在主流电力电子应用中的普及，为全球客户提供高性价比的绿色能源解决方案。如需了解CGD公司产品代理渠道，可访问
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